研究员实现高性能稳定TFT晶体管，推动AR/VR显示技术等
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令人印象深刻的空穴迁移率（15 cm2V-1s-1）和通/关电流比（106-107）
（映维网Nweon 2024年05月27日）中国电子科技大学和韩国浦项科技大学合作研发了一种碲硒复合氧化物半导体材料，并成功实现了高性能和高度稳定的p型薄膜晶体管（TFT）。团队表示，这对VR/AR等下一代显示技术以及低功耗CMOS和DRAM存储器的探索具有重要意义。
半导体主要可以分为两大类：晶体半导体和非晶半导体。晶体半导体具有有序的原子或分子结构，而非晶半导体则没有这种规律性。与晶体半导体相比，非晶半导体提供了更简单的制造方法和更低的成本。然而，它们通常表现出较差的电气性能。
p型非晶半导体的研究进展十分缓慢。n型非晶氧化物半导体在OLED显示器和存储器件中存在广泛的采用，而p型氧化物材料的进步则受到诸多固有缺陷的阻碍。
这一挫折阻碍了作为电子器件和集成电路基石的n-p型互补双极半导体的发展。
实现高性能非晶p型氧化物半导体器件一直是一个近乎不可能的挑战，学术界面临着二十年的失败尝试。
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