效率超传统极限68％，大阪大学研发单芯片圆偏振LED，有望大幅缩小AR眼镜
有望大幅缩小AR眼镜
（映维网Nweon 2026年04月16日）日本研究人员开发出了一种能够从单一芯片产生圆偏振光的新型LED结构。通过将半极性InGaN发光结构与条纹状氮化硅超表面相结合，团队打造出了一种紧凑光源，可减少能量转换损耗并在室温下工作。
这一进展有望推动超紧凑、耐用的光源在AR/VR领域的实际应用。
圆偏振光对众多下一代技术至关重要。然而，以往的圆偏振LED难以兼顾高偏振度、高效率、耐用性和规模化生产。在众多旧有设计中，只能从非偏振光中提取单一圆偏振分量，导致转换效率的理论上限仅为50%。
为突破这一限制，日本研究人员采用了本身就能发射部分线偏振光的半极性InGaN量子阱。随后，他们在LED表面直接集成了条纹状SiNₓ超表面，以更高效地将光线转化为圆偏振光。室温下的光学测量结果显示，在408纳米波长下圆偏振度为0.27，线-圆偏振转换效率达到68%，超越了传统方法的理论极限。
研究人员同事发现，鉴于实验结果与三维电磁仿真高度吻合，所制备的器件运行状态接近理想行为。由于结构完全由无机材料制成，且与现有半导体工艺兼容，它有望为制造耐用、紧凑且可量产的偏振光源提供一条切实可行的途径。
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