微转印技术首次实现蓝光激光器与氮化硅光子芯片集成
微转印技术首次实现蓝光激光器与氮化硅光子芯片集成
（映维网Nweon 2026年09月21日）一支研究团队首次利用微转印技术将蓝光InGaN激光器集成到氮化硅光子集成电路上，并在455纳米波长实现了脉冲激射。
可见光集成光子学在增强现实和虚拟现实等领域具有重要应用前景。氮化硅平台因其超宽带隙、CMOS兼容性和低传播损耗，是可见光波段理想的无源光子集成平台。然而，氮化硅本身不发光，需要集成高性能光源。氮化镓材料是蓝光激光器的核心，但将其集成到氮化硅上一直面临挑战。传统的晶圆键合和倒装芯片键合各有局限，而微转印技术则提供了一种材料高效、可并行集成的替代方案。不过，由于氮化镓化学惰性强，器件释放通常依赖电化学蚀刻，容易损伤材料。
在这项研究中，团队采用重锗掺杂的n型InGaN作为牺牲释放层，结合优化的电化学蚀刻条件，从体GaN衬底上成功释放出表面光滑的薄膜激光器。随后，他们将这些激光器微转印到氮化硅平台上，并采用对接耦合架构。为了优化光耦合，研究人员设计了多尖端叉形氮化硅边缘耦合器，模拟显示在455纳米波长下耦合效率超过85%，同时保持对制造误差的容忍度。
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