Meta专利提出将补偿电容集成于驱动晶体管的像素电路结构
一种将补偿电容集成于驱动晶体管的像素电路结构
（映维网Nweon 2026年07月03日）在微显示器像素驱动电路中，如何在不显著增加芯片面积和工艺复杂度的前提下，实现阈值电压补偿所需的电容器是一个问题。传统方案采用独立的MOS电容或MIM电容作为补偿元件，但这种方式需要在像素内额外划分区域，限制了像素尺寸的进一步缩小。同时，MIM电容需要额外的掩模和沉积步骤，增加了制造成本。另外，独立电容需要通过金属线连接晶体管，会引入寄生耦合且布线复杂，影响信号速度和显示均匀性。
在一份专利申请中，Meta针对微显示器中驱动晶体管的阈值电压Vt补偿需求，提出将补偿电容器直接集成于驱动晶体管之内，通过将源极区向栅极下方延伸一定宽度（约100-300 nm），利用源极延伸区与栅极之间的氧化层形成寄生电容，从而替代传统独立的MOS或MIM电容器。这一设计简化了像素电路布局，减少了芯片面积占用和工艺步骤，降低了寄生耦合，有助于实现更小的像素间距、更高的帧率和更优的显示均匀性。
在一个实施例中，专利描述的半导体器件包括形成在半导体衬底中的阱，所述阱包括阈值电压Vt注入区。在所述阱中创建源极区和漏极区，并且在氧化物层上形成栅极接触。所述源极区包括延伸至所述栅极接触的一部分下方的源极延伸区，以创建集成电容器。
在一个实施例中，晶体管可以是n型金属氧化物半导体（nMOS）或p型金属氧化物半导体（pMOS）晶体管。在一个实施例中，发明方案可以应用于4T1C补偿像素电路方案，但应用不限于4T1C方案。
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