韩国科学家为超高清XR研发超低阈值纳米线激光器
能在常温下实现低阈值激光发射的纳米线共振腔结构
（映维网Nweon 2026年03月20日）韩国国立金乌工科大学日前宣布，成功开发出一种基于InGaN/GaN半导体并能在常温下实现低阈值激光发射的纳米线共振腔结构。这项研究利用比传统薄膜结构具有更优异光电特性的纳米线结构，而所开发出的超小型纳米激光光源技术有望应用于新一代XR微型显示器产业。
团队指出，当前波导近眼显示技术面临的最大挑战之一是其极低的光学效率。特别是，传统的发光二极管光源具有固有的较大发散角以及较低的辐亮度和亮度，当光在波导系统中传播并最终到达人眼时，会经历巨大的光学损耗。另外，相关显示架构经常遇到色彩纯度不足和空间分辨率受限等问题，阻碍了真正沉浸式和逼真的视觉内容的生成。
基于激光的解决方案是实现这一目标的关键。激光器能提供高强度的光输出，可以有效补偿与复杂光学架构相关的光损耗。其窄的发射带宽提高了色彩纯度和保真度。另外，激光器具有快速的响应时间，而这对于实时视觉渲染至关重要。如果能够以超小型的形态制造激光器结构，则实现超过每英寸10000像素的分辨率就变得可行。
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