根特大学团队开发晶圆级微转移印刷技术实现800纳米波段激光器集成
晶圆级微转移印刷方法
（映维网Nweon 2025年08月01日）增强现实和虚拟现实等应用需要（近）可见激光源的光子集成。将III-V族光学增益材料与低损耗氮化硅波导进行异质集成，可以在单个芯片实现包含低噪点激光器的复杂光子电路。先前的演示主要集中在通信波段。对于短波，实现III-V族材料与氮化硅波导之间的高效光耦合方案有限。基于晶圆键合器件的进展需要复杂的耦合结构，并且存在散热不佳的问题。
在一项研究中，根特大学和比利时微电子研究中心团队展示了一种晶圆级微转移印刷方法，以将功能性III-V器件直接集成到商业氮化硅平台的硅衬底。他们展示了基于高效砷化镓（GaAs）、工作于800纳米波段的放大器（集成了可饱和吸收体）与氮化硅腔之间的对接耦合。这产生了延伸腔连续波激光器和模式锁定激光器，其产生的脉冲序列重复频率范围为3.2至9.2吉赫兹（GHz），并展现出优异的被动稳定性（无源稳定性），其基频射频线宽低至519赫兹（Hz）。
结果表明，利用可扩展制造技术，有可能构建800纳米复杂、高性能的全集成激光系统，并在AR/VR等领域取得重大进展。
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