德国、中国研究员开发分辨率超过20K PPI的Micro OLED显示屏

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分辨率超过20K PPI

映维网Nweon 2024年08月06日)Micro OLED正在快速发展。根据德国明斯特大学和中国苏州大学的一项研究,团队成功开发出分辨率超过20K PPI的显示屏。



团队解释道:“对于像硅这样的无机半导体,利用先进的光刻技术,器件尺寸可以做到接近1纳米,在一平方毫米的面积集成2亿个晶体管。”

但遗憾的是,由于紫外线和溶剂对有机材料的腐蚀,不能简单地应用光刻技术。至于另一种方法精细金属掩模,分辨率则只有几十微米,将一平方毫米的组件数量限制在数百个。

考虑到超高分辨率的潜力,团队希望实现光刻技术这种理想的图案化方法。于是,研究人员通过引入“先表面图案化,然后图案生长”的策略来解决这一挑战。

这意味着在引入有机材料被之前,衬底表面首先通过光刻技术形成图案。随后,有机半导体分子沉积,并允许它们在表面扩散并选择性地在指定区域生长,从而在衬底形成图案和器件制造。

结果,团队实现了分辨率超过20K PPI的Micro OLED,满足了下一代显示器的要求。

但他们坦诚,尽管采用图案生长策略可以成功制备超高分辨率的OLED。然而,与自上而下制造的器件相比,他们制造的器件的性能相对较低。器件性能低的部分原因在于器件结构,如简单的双层OLED结构。另外,Au电极没有经过修饰以匹配有机半导体的能级,导致不利的载流子注入和降低器件性能。同时,对于可穿戴电子产品的应用,组件通常在运行过程中承受一定的应变。

他们认为,在追求开发光刻兼容的有机半导体器件处理平台的过程中,图像化生长已证明是一种大面积有效生成高分辨率图案的通用方法。尽管在小样本的实验室环境中取得了重大进展,但未来依然需要大量的努力,特别是在扩大样本量时。同时,必须解决与产量、均匀性和成本相关的挑战。但随着在相关领域的持续努力,团队预计这一战略将为超高分辨率有机半导体器件开辟新的机遇。

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