德国、中国研究员开发分辨率超过20K PPI的Micro OLED显示屏
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分辨率超过20K PPI
（映维网Nweon 2024年08月06日）Micro OLED正在快速发展。根据德国明斯特大学和中国苏州大学的一项研究，团队成功开发出分辨率超过20K PPI的显示屏。
团队解释道：“对于像硅这样的无机半导体，利用先进的光刻技术，器件尺寸可以做到接近1纳米，在一平方毫米的面积集成2亿个晶体管。”
但遗憾的是，由于紫外线和溶剂对有机材料的腐蚀，不能简单地应用光刻技术。至于另一种方法精细金属掩模，分辨率则只有几十微米，将一平方毫米的组件数量限制在数百个。
考虑到超高分辨率的潜力，团队希望实现光刻技术这种理想的图案化方法。于是，研究人员通过引入“先表面图案化，然后图案生长”的策略来解决这一挑战。
这意味着在引入有机材料被之前，衬底表面首先通过光刻技术形成图案。随后，有机半导体分子沉积，并允许它们在表面扩散并选择性地在指定区域生长，从而在衬底形成图案和器件制造。
结果，团队实现了分辨率超过20K PPI的Micro OLED，满足了下一代显示器的要求。
但他们坦诚，尽管采用图案生长策略可以成功制备超高分辨率的OLED。然而，与自上而下制造的器件相比，他们制造的器件的性能相对较低。器件性能低的部分原因在于器件结构，如简单的双层OLED结构。另外，Au电极没有经过修饰以匹配有机半导体的能级，导致不利的载流子注入和降低器件性能。同时，对于可穿戴电子产品的应用，组件通常在运行过程中承受一定的应变。
他们认为，在追求开发光刻兼容的有机半导体器件处理平台的过程中，图像化生长已证明是一种大面积有效生成高分辨率图案的通用方法。尽管在小样本的实验室环境中取得了重大进展，但未来依然需要大量的努力，特别是在扩大样本量时。同时，必须解决与产量、均匀性和成本相关的挑战。但随着在相关领域的持续努力，团队预计这一战略将为超高分辨率有机半导体器件开辟新的机遇。
研究人员指出：“我们的方法避免了光刻过程对有机半导体造成的损害，并在表面工程和设备分辨率方面提供了显著的优势。未来的可穿戴电子产品将需要在一个芯片之上集成多功能系统，包括信息收集、传输、处理、存储和显示。与我们的合作伙伴一起，我们正在努力开发更先进、更紧凑的设备。”
