Meta专利构思实现高量子效率的Micro LED像素
实现高量子效率
（映维网Nweon 2023年05月08日）在半导体LED中，光子是通过有源区内的电子和空穴的复合而产生。LED的内部量子效率（IQE）是发射的光子数量与注入有源区的载流子（电子和空穴）数量之间的比率。所产生的光可以在特定方向上从LED提取。从LED中提取的发射光子的数量与通过LED的电子的数量之间的比率称为外部量子效率（EQE）。对于LED，特别是Micro LED，IQE和EQE可能非常低。
在名为“Semipolar micro-led”的专利申请中，Meta构思了一种可以实现高量子效率的Micro LED像素。
其中，所述Micro LED可以包括生长在掺杂半导体层中形成的凹坑结构的半极性面上的发光层。可以通过使用具有倾斜侧壁和特定形状和取向的开口的掩模蚀刻掺杂半导体层。
掺杂半导体层可以包括生长在c平面取向衬底上的n掺杂GaN层，并且可以蚀刻以形成具有相对于c平面倾斜约50°至75°的角度的小面的凹坑结构。因此，每个凹坑结构可以具有倒金字塔形状，并且凹坑结构的小面可以是半极性取向。
一个或多个量子阱层（例如未掺杂的GaN/InGaN层）可以在半极性凹坑面上外延生长，电子阻挡层（EBL）可以在量子阱层上生长，并且p掺杂GaN层可以在EBL层上生长和/或可以填充凹坑结构。这样的Micro LED子像素可以形成在每个凹坑结构中。
在一个实施例中，可以在P掺杂GaN层上形成诸如铟锡氧化物（ITO）层和/或金属层的P接触层。所制造的具有形成在凹坑结构中的Micro LED子像素的Micro LED晶片可以通过接合焊盘接合到CMOS晶片。每个接合焊盘可以大于Micro LED子像素的尺寸，并且因此可以将多个Micro LED子像素分组为一个Micro LED像素。
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