多国研究团队开发基于单晶GaN衬底的InGaN纳米像素LED阵列
为适用于下一代显示器和新兴光子技术的低功耗Micro LED平台开辟了道路
（映维网Nweon 2025年10月30日）氮化铟镓量子阱微米级与纳米级LED在下一代增强现实/虚拟现实显示领域具有广阔前景。然而，纳米尺度化面临着显著挑战，包括增强的非辐射表面复合、缺陷和/或位错相关的发光性能退化以及纳米级像素接触形成等问题。
在一项研究中，加拿大国立科学研究所，波兰科学院，孟加拉国工程技术大学，美国密西根大学团队通过采用等离子辅助分子束外延（PAMBE）技术在极低位错密度单晶氮化镓（GaN）衬底生长全氮化铟镓量子阱/势垒异质结构，并结合自上而下纳米加工技术，成功制备出应变工程化的纳米级蓝光LED像素单元。
利用原子层沉积（ALD）技术沉积三氧化二铝（Al₂O₃）进行侧壁钝化，可以实现优异的二极管特性，包括高整流比和极低的反向漏电流。蒙特卡洛分析表明450纳米像素单元中完全无位错有源区的良率接近100%。电致发光测试显示明亮的蓝光发射，其峰值外量子效率（EQE）达0.46%。泊松-薛定谔模拟表明量子阱中存在部分应变弛豫，有效缓解了量子限制斯塔克效应（QCSE）。
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